特許

J-GLOBAL ID：200903017878416363

アクティブマトリクス基板、電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065220
公開番号（公開出願番号）：特開2000-259099
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタの膜質を容易に、かつ、正確に検査することのできるアクティブマトリクス基板、それを用いた電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板200において、画素部11、走査線駆動回路70、データ線駆動回路60、信号配線74、77などが形成されていない部分には1mm角の膜質検査領域80が形成されている。この膜質検査領域80では、TFT50のチャネル領域1aおよびゲート絶縁膜2とそれぞれ同層の膜質検査用半導体膜1c(シリコン膜)および膜質検査用絶縁膜2c(シリコン酸化膜)が積層され、この膜質検査用絶縁膜2cは層間絶縁膜4、71、72の開口部8cから露出しているので、すぐに膜質の分析を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板上にトランジスタおよび信号配線が形成されたアクティブマトリクス基板において、前記基板上における前記トランジスタおよび前記信号配線が形成されていない領域の少なくとも一か所に、前記トランジスタのチャネル領域およびゲート絶縁膜とそれぞれ同層の膜質検査用半導体膜および膜質検査用絶縁膜が積層された膜質検査部が形成されてなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (6件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  G09G 3/38 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (8件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  G09G 3/38 ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 27/12 T ,  H01L 29/78 612 A ,  H01L 29/78 624

Fターム (90件)：

2H092GA29 ,  2H092HA28 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB77 ,  2H092JB79 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092NA14 ,  2H092NA19 ,  2H092NA27 ,  2H092NA30 ,  2H092PA01 ,  2H092PA03 ,  2H092RA05 ,  4M106AA10 ,  4M106AA12 ,  4M106AA20 ,  4M106BA14 ,  4M106CB02 ,  4M106CB19 ,  4M106DH11 ,  4M106DH55 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080DD15 ,  5C080DD19 ,  5C080DD28 ,  5C080FF11 ,  5C080GG09 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA00 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA17 ,  5F110AA18 ,  5F110AA22 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の検査パターンおよび半導体装置の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-149586   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164508   出願人：日本電気株式会社