半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274187
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】サリサイドプロセスとSACプロセスとの双方を両立できる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】図1(a)の第1工程にて、Si基板1表面にPoly-Si層4と絶縁保護膜5とからなるゲート6を形成する。図1(b)の第2工程にて、ゲート6の側壁部に絶縁保護膜5とはエッチング速度の異なるサイドウォール9を形成し、図1(c)の第3工程にて絶縁保護膜5を除去する。図1(d)の第4工程にてSi基板1上に高融点金属層11を形成し、これらを反応させて高融点金属シリサイド層11aを形成する(図1(e))。図1(f)の第5工程にて、反応させなかった高融点金属層11を除去し、図1(g)の第6工程にてSi基板1上にサイドウォール9とはエッチング速度の異なる層間絶縁膜12を形成した後、層間絶縁膜12にサイドウォールの外側面に近接させてコンタクトホール13を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料からなる基体表面に、シリコン系材料層と絶縁保護膜とを順次積層した後、この積層体をゲートにパターン化する第1工程と、前記ゲートを覆う状態で前記基体上に前記絶縁保護膜とはエッチング速度の異なる絶縁材料の層を形成した後、エッチングによってゲートの側壁部に前記絶縁材料からなるサイドウォールを形成する第2工程と、エッチングによって前記絶縁保護膜を除去する第3工程と、前記サイドウォール表面と前記シリコン系材料層上とを覆う状態で前記基体上に高融点金属層または高融点金属化合物層を形成した後、前記基体、前記シリコン系材料層のそれぞれと前記高融点金属層または高融点金属化合物層とをシリサイド化反応させる第4工程と、該第4工程でシリサイド化反応させなかった高融点金属層または高融点金属化合物層を除去する第5工程と、前記サイドウォール表面と前記シリコン系材料層上とを覆う状態で前記基体上に、前記サイドウォールとはエッチング速度の異なる材料により層間絶縁膜を形成した後、該層間絶縁膜に、前記サイドウォールの外側面に近接させてコンタクトホールを形成する第6工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/768 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/08 321 F , H01L 21/90 J , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-101433
特開平3-046237
特開昭63-257231

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