高周波特性測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396630
公開番号（公開出願番号）：特開2002-196026
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】高周波用途の電子部品素子の特性を高精度で測定方法を提供する。【解決手段】支持基板1上に、第1導体層2、第1絶縁層3、第2導体層4、第2絶縁層5を順次積層してなり、かつ、複数の実装用パッド及び複数のプローブコンタクトパッド7a、7b具備する実装評価基板A、開放用評価基板B、短絡用評価基板Cとを用いて、前記開放用評価基板B、短絡用評価基板Cからの特性結果に基づいて、実装評価基板Aの寄寄生インピーダンス成分を補正し、その後、実装評価基板Aに実装された電子部品素子Dの高周波特性を評価する。

請求項（抜粋）：

底面に複数の第1及び第2の電極パッドが形成された電子部品素子の高周波特性を測定する方法であって、支持基板上に、第1導体層、第1絶縁層、第2導体層、第2絶縁層を順次積層して成り、かつ、前記第1導体層と導通するともに、前記第1電極パッドと接続する複数の第1実装用パッド、前記第2導体層と導通するとともに、前記第2電極パッドと接続する複数の第2実装用パッド、前記第1導体層と導通する第1のプローブコンタクトパッド、前記第2導体層と導通する第2のプローブコンタクトパッドを具備する実装評価基板と、前記実装用評価基板と実質的に同一構造を有し、実装評価用基板に寄生する容量成分を測定する開放用評価基板と、支持基板上に、第1導体層、第1絶縁層、第2導体層、第2絶縁層を順次積層してなり、前記実装評価基板の第1実装用パッドが第1導通層と接続する部位で、第1導通層と第2導通層とが短絡しあい、実装評価用基板に寄生する抵抗成分及びインダクタンス成分を測定する短絡用評価基板とを用いて、前記実装評価基板に搭載し、且つ前記第1のプローブコンタクトパッドと前記第2のプローブコンタクトパッドとの間で測定された電子部品素子の高周波特性に対して、前記開放用評価基板の容量成分と前記短絡用評価基板の抵抗成分及びインダクタンス成分とに基づいて補正し、実装された前記電子部品素子の高周波特性を測定することを特徴とする高周波特性測定方法。

IPC (2件)：

G01R 27/02 , G01R 31/00

FI (2件)：

G01R 27/02 A , G01R 31/00

Fターム (21件)：

2G028AA01 , 2G028AA04 , 2G028BB06 , 2G028BB10 , 2G028BC02 , 2G028BC10 , 2G028CG02 , 2G028CG06 , 2G028CG07 , 2G028CG08 , 2G028CG20 , 2G028DH14 , 2G028GL20 , 2G028HM10 , 2G028HN20 , 2G028MS02 , 2G036AA03 , 2G036AA04 , 2G036BB01 , 2G036BB02 , 2G036CA12

引用特許：

審査官引用 (6件)

高周波IC測定治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-055018 出願人：株式会社東芝
特開平2-253171
特開平3-243867

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