特許
J-GLOBAL ID:200903017914290266

半導体加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安藤 淳二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-304751
公開番号(公開出願番号):特開2001-124797
出願日: 1999年10月27日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 感度の高い半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】 撓み部を複数本の平行な撓み部4で構成し、その内の2本の各撓み部4には2個のピエゾ抵抗6を形成し、第1のピエゾ抵抗6を撓み部4の長手方向に対し略平行かつ撓み部4の長手方向略中心線上に配置し、第2のピエゾ抵抗6を撓み部4の長手方向に対し略直交かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置するようにしたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
加速時に変位する重り部と、該重り部に連結された撓み部と、該撓み部を支持する支持部と、該撓み部に前記重り部の変位により前記撓み部に生じる歪みを検出するピエゾ抵抗を有して、該ピエゾ抵抗の抵抗変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサにおいて、前記撓み部を複数本の平行な撓み部で構成し、その内の2本の各撓み部には2個のピエゾ抵抗を形成し、第1のピエゾ抵抗を撓み部の長手方向に対し略平行かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置し、第2のピエゾ抵抗を撓み部の長手方向に対し略直交かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (2件):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A
Fターム (10件):
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA29 ,  4M112EA02 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112FA01
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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