特許
J-GLOBAL ID:200903027270739947

半導体加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 長七 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-327712
公開番号(公開出願番号):特開平9-166618
出願日: 1995年12月15日
公開日(公表日): 1997年06月24日
要約:
【要約】【課題】信頼性が高い半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 センシングエレメント1は、重り部2と、一端が重り部2に一体連結された薄肉の一対の撓み部3と、両撓み部3の他端が一体連結され撓み部3により重り部2を揺動自在に支持する支持部4とを備える。センシングエレメント1の上下には、それぞれ少なくとも重り部2と撓み部3を封止する上部キャップ10、下部キャップ20が陽極接合される。上部キャップ10及び下部キャップ20は、それぞれ重り部2と対向する部位に内周面の全面に亘って微小の凹凸を有する凹所10a,20aが形成されている。
請求項(抜粋):
重り部、一端が前記重り部に一体連結された撓み部、前記撓み部の他端が一体連結され前記撓み部により重り部を揺動自在に支持する支持部を半導体基板を加工して形成し、前記撓み部の表面近傍にピエゾ抵抗が形成されたセンシングエレメントと、前記センシングエレメントの上下にそれぞれ陽極接合により固定され少なくとも前記重り部と前記撓み部とを封止する上部キャップ及び下部キャップとで構成される半導体加速度センサにおいて、前記上部キャップ及び前記下部キャップは、それぞれ、ガラスよりなり且つ少なくとも前記重り部と対向する部位に内周面の全面に亘って微小の凹凸を有する凹所が形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。
引用特許:
審査官引用 (9件)
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