特許

J-GLOBAL ID：200903017930945337

不揮発性半導体メモリ

発明者： 海田 孝行 ,  大谷 幸弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290084
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134579
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】スプリットゲート型メモリセルの寿命を延ばし、そのメモリセルを用いた長寿命な不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】データの書き換え回数が所定値T1を越えると、消去モードにおいて選択されたワード線に接続されている各メモリセルの制御ゲート電極の電圧Vgを定常値(14V)より1V高い15Vにする。すると、一旦低下した読み出しモードにおける消去状態のメモリセルのセル電流Iiが急激に増大する。その後、データの書き換え回数がさらに増加すると、セル電流Iiは再び低下していく。一方、データの書き換え回数に関係なく、読み出しモードにおける書き込み状態のメモリセルのセル電流Iwは変化しない。そのため、データの書き換え回数が所定値T1を越えると、各セル電流Iw,Iiの差が再び大きくなり、両者の大小を確実に判別することができる.

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート電極に蓄積された電荷をファウラー-ノルドハイム・トンネル電流を利用して引き抜く際に、当該トンネル電流を定常値よりも増加させる不揮発性半導体メモリ。

IPC (7件)：

G11C 11/41 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 11/40 C ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 621 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-205894
  
• 不揮発性メモリの消去特性向上回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073976   出願人：三洋電機株式会社
• フラッシュ・メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207102   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-205894