特許
J-GLOBAL ID：200903017961884808
表面マイクロ加工された対称形差圧センサー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030510
公開番号（公開出願番号）：特開平8-247878
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【構成】 本発明は半導体デバイス製造技術の表面マイクロ加工法を使用して基板(1)上に沈着積層して形成された対称形容量性差圧センサーに関する。本センサーは相互に完全に電気的に絶縁されたつぎの薄膜層を含む。多結晶シリコンからつくられた少なくとも部分的に伝導性である検知ダイヤフラム(5)およびその検知ダイヤフラム(5)の両側に配置された伝導性対向電極(3と7)。【効果】 本発明によれば、それら対向電極(3と7)は多結晶薄膜からつくられそして少なくとも1つの電気伝導性領域を含む。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス製造技術の表面マイクロ加工法を使用して基板の上に沈着積層して形成される対称形差圧センサーであって、該センサーが相互に完全に電気的に絶縁された下記の薄膜層、すなわち多結晶シリコンからつくられた少なくとも部分的に伝導性である検知ダイヤフラム;および該検知ダイヤフラムの両側に配置された伝導性対向電極、を含む対称形差圧センサーにおいて、該対向電極が多結晶薄膜からつくられておりそして少なくとも1つの電気伝導性領域を含有していることを特徴とする上記対称形差圧センサー構造体。
IPC (3件)：
G01L 13/06
, G01L 9/12
, H01L 29/84
G01L 13/06 C
, G01L 9/12
, H01L 29/84 B
