特許
J-GLOBAL ID：200903018035485459
周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090938
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272258
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 低圧または常圧で良質の第13族金属窒化物結晶の製造方法、および前記製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。【解決手段】 基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第13族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板と該基板と隣接する化合物からなる相との界面に形成される液層に、周期表第13族金属(以下「第13族金属」という)を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させることを特徴とする第13族金属窒化物結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/38
, C30B9/14
, H01L33/00
, H01S5/323
C30B29/38 D
, C30B9/14
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077CC02
, 4G077EJ01
, 4G077HA02
, 4G077LA01
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA63
, 5F173AH22
, 5F173AP03
, 5F173AR82
, 5F173AR94
