特許

J-GLOBAL ID：200903018087969764

量子半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐久間 芳樹 ,  武藤 俊一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033268
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236748
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 量子半導体装置及びその製造方法に関し、量子サイズ効果や単一電子トンネリングを利用したシリコン系デバイスを確実に再現性良く製造するための素子構造及びその製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド型の結晶構造を有する半導体基板1に逆角錐状の溝3を設けると共に、この溝3内にバリア層5となる禁制帯幅の大きな半導体層及び量子箱形成用ウエル層4等となる禁制帯幅の小さな半導体層を交互に積層させて量子箱6等の微細構造を形成する。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド型の結晶構造を有する半導体基板に逆角錐状の溝を設けると共に、前記溝内に禁制帯幅の大きな半導体層及び禁制帯幅の小さな半導体層を交互に積層させて微細構造を形成し、前記微細構造を能動領域としたことを特徴とする量子半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-243124
  
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174076   出願人：松下電器産業株式会社
• 微構造体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-056680   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭54-078668