特許
J-GLOBAL ID：200903018094481246

エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル

発明者：
棚瀬 健司

棚瀬 健司 について

, 
西川 龍司

西川 龍司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-400714
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063928
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】エレクトロルミネッセンス素子の信頼性及び発光特性向上と、生産性の向上とを両立する。【解決手段】上部電極40を蒸着による上部第1導電層42、バッファ層46、スパッタリングによる上部第2導電層44との積層構造とする。このようなバッファ層46が第1及び第2導電層間に介在することで、上部電極40の下層に形成されている発光素子層30への電子や正孔などの電荷注入効率を高く維持しつつ、有機材料などスパッタリングの環境に対する耐性の低い発光素子層30がダメージを受けることを防止でき、また被覆性及び均一性よくまた十分な厚さの導電層を生産性良く形成することができる。バッファ層46は多層構造とすることもできる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下部電極と上部電極との間に発光材料を含む発光素子層を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、 前記上部電極は、前記発光素子層側から、蒸着法によって形成された上部第1導電層と、スパッタリング法によって形成された上部第2導電層とを備え、さらに前記上部第1導電層と前記上部第2導電層との層間に、前記上部第1導電層及びその下層の両層を保護するバッファ層を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3件)：
H05B33/26 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (3件)：
H05B33/26 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B
Fターム (5件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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