特許
J-GLOBAL ID:200903018099218233

薄膜の燐光変換発光ダイオードデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-335224
公開番号(公開出願番号):特開2001-244507
出願日: 2000年09月27日
公開日(公表日): 2001年09月07日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 LEDによって発せられた一次光を別の波長の光に変換して特定の色の光を生成する燐光薄膜を有する燐光変換LEDデバイスを提供する。【解決手段】 燐光薄膜はドーパントイオンを含んでおり、一次光の燐光変換がドーパントの密度によって、また薄膜の厚さによって予測可能かつ制御可能となるよう空間的に分布している。したがって、燐光変換LEDデバイスによって生成される光の色の変動は排除され、これにより生成される有色光の品質を均一にすることが可能となる。
請求項(抜粋):
特定の色の光を発するための発光ダイオードデバイスであって、第一の面及び第二の面を含む基板を有しており、第一の面は第二の面の反対側に設けられ、基板の第一の面に配置された発光構造体を有しており、この発光構造体は基板の第一の面と隣り合った第一の面と、当該第一の面と反対の側の第二の面を有し、発光構造体は駆動されたときに一次放射光を発し、発光構造体によって生成された一次放射光を受けるよう配置された燐光薄膜を有しており、当該一次放射光は燐光薄膜に当たり、一次放射光の第一の部分は燐光薄膜を通過し、一次放射光の第二の部分は異なる波長の光に変換され、燐光薄膜によって発せられた光は燐光薄膜を通過した一次放射光と混ざり合って前記特定の色の光を生成することを特徴とする発光ダイオードデバイス。
引用特許:
審査官引用 (12件)
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