特許
J-GLOBAL ID：200903018115568118
薄膜装置の製造方法及び薄膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053729
公開番号（公開出願番号）：特開平10-319441
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 薄膜装置の製造方法及び薄膜装置に関し、滑らかな形状をもった複数のバスライン及び該バスラインに電気的に接続された接続部分を備えた薄膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板10上に陽極酸化可能な導体層を形成する工程と、該基板に対して平行な上面18aと傾斜する側面18bをもった複数のバスライン18及び該バスラインに電気的に接続され且つ該基板に対して平行な上面と傾斜する側面をもった接続部分を形成するように該導体層をエッチングする工程と、該バスライン18及び該接続部分がそれぞれ内方導体部分22と該内方導体部分を覆う絶縁性の外方酸化膜24とを含むように該バスライン18及び該接続部分を陽極酸化する工程とを含む構成とする。
請求項（抜粋）：
基板上に陽極酸化可能な金属からなる導体層を形成する工程と、該基板に対して平行な上面と傾斜する側面をもった複数のバスライン及び該バスラインに電気的に接続され且つ該基板に対して平行な上面と傾斜する側面をもった接続部分とを形成するように該導体層をエッチングする工程と、該バスライン及び該接続部分がそれぞれ内方導体部分と該内方導体部分を覆う絶縁性の外方酸化膜とを含むように該バスライン及び該接続部分を陽極酸化する工程とを含むことを特徴とする薄膜装置の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/136 510
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/136 510
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 617 W
