特許
J-GLOBAL ID：200903018122940235

レジストパターンの形成方法

発明者：
井谷 俊郎

井谷 俊郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344942
公開番号（公開出願番号）：特開平7-175226
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は化学増幅系ポジ型レジストを用いるレジストパターンの形成方法に関し、化学増幅系ポジ型レジストのT型形状の原因である表面難溶化層を解消するために、その原因であるレジスト表面で失活した酸をPEB処理時に補償し、表面難溶化層の形成を抑えるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ウェハ11及びホットプレート12はPEB処理装置13内に収容されている。このPEB処理装置13は導風管14を通して酸性ガス発生装置17に連通されている。酸性ガス発生装置17は酸性ガスを発生する装置で、酸溶液16を収容しており、外部より気化のための窒素ガス15が導入されることにより、気化した酸を発生し、その酸をPEB処理装置13内に導入する。これにより、ウェハ11は所定温度で所定時間酸性雰囲気中でPEB処理される。
請求項（抜粋）：
化学増幅系ポジ型レジストが表面に形成されている半導体基板に対して所望のパターンが描かれたマスク又はレチクルを通して露光し、べーク処理後現像処理してフォトレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、前記べーク処理時の雰囲気を酸性とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
引用特許：
審査官引用 (4件)
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