特許

J-GLOBAL ID：200903018128993268

半導体パッケージおよびその製造方法

発明者： 伊勢 洋 ,  城内 俊昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012745
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体パッケージを最小外形サイズで形成できるとともに、製造が簡単で、しかも量産効果を発揮させることができるようにする。【解決手段】 絶縁フレーム11の主面上に実装した半導体素子12と、これらを樹脂封止する封止樹脂13と、前記半導体素子を外部に接続するように前記絶縁フレームの裏面に形成した複数のボールバンプ14とによって、半導体パッケージ10を構成する。この半導体パッケージは、絶縁フレームとその主面上にマトリックス状に実装した多数の半導体素子とを全面にわたって一連に樹脂封止することにより面方向に連続する平らな面をもった板状のパッケージパネル18を形成し、これをダイシング装置の円形ブレードで半導体パッケージ毎に切断することにより、本体部の四側面が主面に垂直な切断面10aとなる状態で製造される。

請求項（抜粋）：

絶縁フレームの主面上に実装した半導体素子と、これらを樹脂封止する封止樹脂と、前記半導体素子を外部に接続するように前記絶縁フレームの裏面に形成した複数のボールバンプとからなる半導体パッケージにおいて、前記半導体パッケージを構成する本体部の四側面を、主面に垂直な切断面によって形成したことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 Z

Fターム (12件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA05 ,  4M109DA10 ,  4M109EA01 ,  4M109EE03 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061DD12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体パッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142760   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211207   出願人：ソニー株式会社
• 紡機の潤滑装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331059   出願人：豊和工業株式会社