半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317458
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】厚さが異なる2種以上のゲート絶縁膜を半導体基板上に設けている半導体集積回路装置において、そのゲート絶縁膜中の欠陥を低減する。【解決手段】半導体基板1s上に形成された結晶欠陥の少ないエピタキシャル層上に厚さの異なる2種以上のゲート絶縁膜16i1,16i2 を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子形成のためのプロセスを経ることなくエピタキシャル法により半導体単結晶層を形成した後、その半導体単結晶層上に厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/08 102 Z , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (5件)

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