特許
J-GLOBAL ID：200903018131040549
凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-176958
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258656
出願日： 2006年06月27日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】エッチング液のロット毎のばらつきが少なく、安定して一定の凹凸構造を表面に形成することができる凹凸基板の製造方法及びそれを用いた光起電力素子の製造方法を得る。【解決手段】アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、アルカリ性溶液に、以下の一般式(1)で表わされる添加剤が含有されている。 (Xは、カルボキシル基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、及び四級アンモニウム、R1〜R5は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、及びアルコキシ基である)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、
前記アルカリ性溶液に、以下の一般式(1)で表わされる添加剤が含有されていることを特徴とする凹凸基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/308 B
, H01L31/04 H
, H01L31/04 B
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF10
, 5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051GA04
, 5F051GA15
