特許
J-GLOBAL ID：200903085242545550

磁気記録媒用基板体およびその製造方法

発明者：
新谷 尚史

新谷 尚史 について

, 
山形 則男

山形 則男 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058601
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251266
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 基板面の面粗度(ラフネス)をコントロールし、ヘッド浮上安定性を確保し、高記録密度が達成できる磁性膜を有する磁気記録媒体に用いる基板と粗面化方法を提供する。 【解決手段】 磁気記録媒体に用いるシリコン基板であって、記録層の形成に用いる面が、突起数が1μm2当り40〜1000個、かつ最大高さが10nm以下かつ、平均面粗さが0.3〜2.0nmの範囲を有し、該面全体に傷および汚れが無いことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板を提供する。また、シリコン基板面への超音波の印加と、該シリコン基板の揺動または回転を含む、該シリコン基板面のエッチング処理工程を含んでなる磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、およびこのシリコン基板を含んでなる磁気記録媒体を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
磁気記録媒体に用いるシリコン基板であって、記録層の形成に用いる面が、突起数が1μm2当り40〜1000個、かつ最大高さが10nm以下かつ、平均面粗さが0.3〜2.0nmの範囲を有し、該面全体に傷および汚れが無いことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板。
IPC (3件)：
G11B5/73 ,  G11B5/84 ,  H01L21/308
FI (3件)：
G11B5/73 ,  G11B5/84 A ,  H01L21/308 B
Fターム (17件)：
5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA03 ,  5D006FA05 ,  5D006FA09 ,  5D112AA02 ,  5D112BA02 ,  5D112BA09 ,  5D112GA02 ,  5D112GA27 ,  5D112GA30 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB28 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046237   出願人：富士通株式会社
  • 特開昭53-57144号公報
審査官引用 (5件)
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