特許

J-GLOBAL ID：200903018135053475

半導体装置およびそれを備えた自動車

発明者： 久野 裕道 ,  松本 真一 ,  北見 明朗 ,  大西 謙一 ,  佐々木 正一 ,  古田 紀文
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  松山 隆夫 ,  武藤 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301382
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175439
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 過電流通過時に短絡故障ではなく開放故障となりやすい構造を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 外部接続用電極220および230は、内蔵された半導体素子のエミッタ電極およびコレクタ電極とそれぞれ電気的に接続されて、外部との接続用に設けられる。外部接続用電極220,230の少なくとも一方には、他の部位よりも電流容量が小さく、所定値以上の電流通過時に溶断されるように設計された溶断部225,235が設けられる。溶断部225,235は、たとえば板状の外部接続用電極220,230の端部を切除して、断面積を他の部位より小さくすることで形成される。半導体装置200を過電流が通過した場合、半導体素子内部での絶縁破壊によって短絡故障となることなく、溶断部225,235の溶断によって開放故障が発生する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

制御電極への電気的入力に応じた電流経路が第1および第2の電極間に形成される半導体素子と、 前記第1および第2の電極とそれぞれ電気的に接続された、半導体装置の外部との接続用に設けられた第1および第2の外部接続用電極とを備え、 前記第1および第2の外部接続用電極の少なくとも一方は、所定値以上の電流で溶断するように設計された溶断部位を含む、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/00

FI (1件)：

H01L23/00 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212325   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-259573   出願人：株式会社デンソー