半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊沢敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219069
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058110
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線構造において、基板接続部でのアロイピット発生を防止すると共に層間接続部でのAlヒロック発生を防止する。【構成】半導体基板10の表面を覆う絶縁膜14に接続孔14Aを形成した後、基板10に接続されるように配線層16を形成する。配線層16及び絶縁膜14を覆って層間絶縁膜18を形成した後、配線層16に接続されるように配線層20を形成する。配線層16は、下から順にTi膜16a、TiON膜16b、Al又はAl合金膜16c、Ti膜16d、TiN膜16eを積層した構成にする。配線層16の形成後の400〜500°C,30分程度の熱処理では、接続孔底部X,Y等にアロイピットは認められなかった。接続孔18Aの形成後、接続孔底部ZにTiN層16eが残存し、Alヒロック発生を防ぐ。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置であって、該多層配線構造は、第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上に形成された第1の配線層であって、下から順にTi膜、TiON膜、Al又はAl合金膜、Ti膜及びTiN膜を積層した構成のものと、前記第1の絶縁膜及び前記第1の配線層を覆って形成され、該第1の配線層の一部に対応した接続孔を有する第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜の上に形成され、前記接続孔を介して前記第1の配線層に接続された第2の配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-026029 出願人：ヤマハ株式会社
特開平2-067763
特開平1-276746

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