特許
J-GLOBAL ID：200903018167756400
半導体記憶装置および絶縁体層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-225194
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048765
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 基板の材料によらず配向し緻密な強誘電体薄膜を生産性良く形成できる半導体記憶装置および絶縁体層の形成方法を提供すること。 【解決手段】 結晶性Bi4Ti3O12等からなる強誘電体粒子を分散させて強誘電体粒子分散液を作製する工程(S110)と、強誘電体粒子分散液を基板上にスピンコートし、焼成して板状粒子が堆積した強誘電体粒子堆積膜を形成する工程(S120)と、焼成により誘電体または強誘電体となりうる化合物を強誘電体粒子堆積膜上にスピンコートし、加熱して平坦化された強誘電体薄膜を形成する工程等(S150、S161またはS162)とを備え、強誘電体粒子間の隙間を充填する構成を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体上に絶縁体層およびゲート電極層がこの順に積層された電界効果トランジスタ構造を有する半導体記憶装置であって、前記絶縁体層の一部または全部が膜厚80〜400nmの強誘電体薄膜からなり、前記強誘電体薄膜は、一般式(Bi2O2)2+(Am-1TimO3.5m-0.5)2-[AはBiまたは原子比xが0〜0.5のBi(1-x)Laxであり、mは1〜5の整数である。]で表され、平均一次粒子径が20〜100nmの強誘電性酸化物結晶粒子を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/824
, H01L 27/105
H01L21/316 G
, H01L27/10 444A
5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BF46
, 5F058BH02
, 5F058BJ04
, 5F083FR05
, 5F083FR06
, 5F083GA27
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR33
