特許
J-GLOBAL ID：200903032596744316
半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105218
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297947
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 材料の無駄を減らし環境保護に貢献する新たな半導体素子の製造技術を提供する。【解決手段】 薄膜により形成される半導体素子の製造技術に関する。下地となる面に半導体材料または誘電体材料を含んだ流動体(13)を吐出して付着させる。吐出された流動体(13)を固化させることにより薄膜(103)を形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体薄膜を備える半導体素子であって、誘電体材料を含んだ流動体を下地となる面に付着させ固化させることにより形成された薄膜を備えていることを特徴とする半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451
, H01L 21/316
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 21/316 G
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
