特許
J-GLOBAL ID：200903018168629240
触媒分子線エピタキシ装置及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人ウィンテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-029842
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054419
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】 本発明は、触媒分子線エピタキシ(cat-MBE)の装置、及びそれを用いてIII族窒化物材料を成長させる方法に関する。【解決手段】 本発明の触媒分子線エピタキシ装置120は、熱線10を含み、アンモニア、窒素ガス等の窒素を含むガス110が熱線10を通過する際に、前記熱線10によって前記窒素を含むガスを触媒作用により分解して活性化イオンを生成し、前記活性化イオンがIII族金属元素と反応して加熱基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
分子線エピタキシ装置中でIII族窒化物エピタキシャル層を成長させる、触媒分子線エピタキシによるIII族窒化物材料を成長させる成長方法であって、
(1)基板を設け、
(2)III族金属元素を供給するための固体金属を用意し、
(3)窒素を含むガスを触媒作用により分解するための熱線を用意し、
窒素を含むガスが熱線を通過する際に、前記熱線によって前記窒素を含むガスを触媒作用により分解して活性化イオンを生成し、前記活性化イオンはIII族金属元素と反応して加熱基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成する成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F103AA04
, 5F103BB02
, 5F103BB05
, 5F103BB08
, 5F103BB09
, 5F103BB42
, 5F103BB47
, 5F103BB55
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH04
, 5F103NN01
, 5F103PP02
, 5F103RR06
出願人引用 (2件)
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米国特許第6,146,458号
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米国特許第6,500,258号
審査官引用 (2件)
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