特許
J-GLOBAL ID：200903051926750924
ホットワイヤCVD法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-262066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103745
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】Siに次いで安価に大量に出回っている半導体結晶基板であるGaAs基板は、電子・光素子をワンチップ上に製造できる利点があり、青紫発光素子や大電力用電子デバイスなどその産業上の利用分野を拡大するためにGaAs基板上へのGaN,InN,AlNなどの窒化物半導体膜のエピタキシャル成長技術の開発が課題となっている。【構成】ガリウム砒素(GaAs)基板を洗浄して表面酸化物を除去後にホットワイヤCVD装置のチャンバー内にアンモニアガスを供給し、ホットワイヤによるアンモニアガスの熱分解により該基板表面を窒化して窒化ガリウム(GaN)バッファ層を形成し、次いで、該チャンバー内に窒化物半導体膜形成用ガスを供給して、ホットワイヤによる該膜形成用ガスの熱分解により該GaNバッファ層上に窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするホットワイヤを用いた窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガリウム砒素(GaAs)基板を洗浄して表面酸化物を除去後にホットワイヤCVD装置のチャンバー内にアンモニアガスを供給し、ホットワイヤによるアンモニアガスの熱分解により該基板表面を窒化して窒化ガリウム(GaN)バッファ層を形成し、次いで、該チャンバー内に窒化物半導体膜形成用ガスを供給して、ホットワイヤによる該膜形成用ガスの熱分解により該GaNバッファ層上に窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするホットワイヤを用いた窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
H01L21/205
, C23C16/34
, C23C16/452
H01L21/205
, C23C16/34
, C23C16/452
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB01
, 4K030CA04
, 4K030DA02
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 4K030LA18
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD09
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045BB07
, 5F045BB08
, 5F045BB12
, 5F045DA53
