特許
J-GLOBAL ID：200903041686280113
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193733
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039810
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】サファイア基板61上に金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する。その後、HVPE-GaN層66を成長する。金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE-GaN層66中には空隙65が形成される。この空隙65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
下地基板上に、金属元素含有膜を形成する工程と、
該金属元素含有膜上に接して、空隙部を含むIII族窒化物半導体層を形成する工程と、
前記空隙部を剥離箇所として前記下地基板を剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EE07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TB04
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AC16
, 5F045AC17
, 5F045AD11
, 5F045AE21
, 5F045AF09
, 5F045AF14
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045DA53
, 5F045DA67
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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