特許
J-GLOBAL ID：200903018172870629
配線基板の製造方法並びに配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084186
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 内層に複数の配線を有する配線基板の製造方法において、既存のフォトリソグラフ法を利用したエッチングによるパターン形成はその配線ピッチや配線幅等の形成密度に限界があるという課題を解決し、電子部品の高密度表面実装、特に最近の超小型化されたLSIベアチップを高密度で搭載することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 所定の位置に設けられた孔115に導電性ペーストまたは金属粒状体等よりなる導電体116を充填した接着性絶縁体114の両面に配線パターン113が形成されている離型性支持板111および他の配線パターン117が形成されている他の離型性支持板118とを上下に配置し、当該配線パターンを加圧転写することにより、配線パターンの転写とともにバイア接続を行ない、半硬化状態の接着性絶縁体114を完全硬化させて配線基板119を得る。
請求項（抜粋）：
配線層のパターンに対応した位置に設けた孔に導電体を埋め込んだ接着性絶縁体の表面に、離型性支持板の表面に形成された導電性配線パターンを転写して前記接着性絶縁体の表面に配線層を形成すると同時に、バイア接続を行い、その後、離型性支持板をはがす配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 3/20
, H05K 3/40
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/20 A
, H05K 3/40 K
