半導体結晶の成長方法および半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236443
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】単一の結晶粒からなる結晶核を少ない工数でスループットよく形成し、かつ結晶成長時に不要な結晶核が発生して結晶粒径がばらつかないように微小な間隔で結晶核を配置することにより、粒径の均一性が高い多結晶シリコン薄膜を歩留まりよく得ることのできる半導体結晶の成長方法を提供する。【構成】本願発明の特徴は、基板1表面に非晶質半導体薄膜2を形成する成膜工程と、前記非晶質半導体薄膜に選択的に第1の結晶化エネルギー3を付与し、結晶領域4を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体薄膜に第2の結晶化エネルギーを付与することにより、前記結晶領域を結晶核として、前記非晶質半導体薄膜を結晶化する第2の工程とを含む半導体結晶の成長方法において、前記第1の工程は、前記結晶領域にそれぞれ1つづつの結晶核を形成するように、前記非晶質半導体薄膜の膜厚により結晶領域の大きさを決定する工程と、前記決定に基づいた大きさの結晶領域に、選択的に、第1の結晶化エネルギーを付与する工程とを含むことにある。

請求項（抜粋）：

基板表面に非晶質半導体薄膜を形成する成膜工程と、前記非晶質半導体薄膜に選択的に第1の結晶化エネルギーを付与し、結晶領域を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体薄膜に第2の結晶化エネルギーを付与することにより、前記結晶領域を結晶核として、前記非晶質半導体薄膜を結晶化する第2の工程とを含む半導体結晶の成長方法において、前記第1の工程は、前記結晶領域にそれぞれ1つづつの結晶核を形成するように、前記非晶質半導体薄膜の膜厚により結晶領域の大きさを決定する工程と、前記決定に基づいた大きさの結晶領域に、選択的に第1の結晶化エネルギーを付与する工程とを含むことを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/268 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-140916
特開平2-165619
電界効果型薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-290293 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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