損失結合を有するDFBレーザを含む製品

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027184
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242035
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】本発明は、損失結合を有するDFBレーザを含む製品を提供する。【解決手段】改善された損失回折格子を有するDFBレーザが、明らかにされている。回折格子はレーザ放射に対し、比較的低損失となるよう選択された組成の半導体材料(111)中に、埋め込まれている。第1の層の組成はレーザ放射に対し、比較的高い屈折率と損失を与えるよう選択され、第2の層の組成はレーザ放射に対し、比較的低い屈折率と損失を与えるよう選択される。第1及び第2の層の厚さは、結合定数の実部|k’|が結合定数の虚数部|k''|より小さくなるよう選択される。好ましい実施例においては、|k’|≦0.5|k''|あるいは≦0.2|k''|ですらある。

請求項（抜粋）：

半導体層構造及び波長λの放射を放出するよう層構造に電流を流すための接触を含み、層構造は本質的に均一な厚さとレーザ長に渡って延びる活性層(42)を含み、更に前記活性層から離れ、周期的変化を含む回折格子領域(111)を含み、レーザには複素結合定数k=k’+ik''が付随する半導体レーザを含む製品において、前記回折格子領域は順に、i) 波長λの放射に対して、比較的高い屈折率と損失を有するよう選択された組成の第1の周期的にパターン形成された半導体層(12);ii) 波長λの放射に対して、比較的低い屈折率と損失を有するよう選択された組成の第2の周期的にパターン形成された半導体層(13);を含み、iii) 前記第1及び第2の周期的にパターン形成された層は、波長λの放射に対して、比較的低い損失を与えるよう選択された組成Q<SB>1</SB> の半導体材料(110)中に埋め込まれ、iv) 前記第1及び第2の層は|k’|<|k''|であるように選択されることを特徴とする製品。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体分布帰還型レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291591 出願人：光計測技術開発株式会社
分布帰還レーザ含有製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-352429 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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