分布帰還レーザ含有製品

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352429
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085402
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 DFBレーザの製造収率向上に好都合な構造の格子領域を提供する。【構成】本格子領域は1つ以上の薄い半導体層(QWと略称、例えば121)を有し、これはレーザの縦方向で周期的に変化するQWである。好ましい本実施例では、このQWは格子エッチングの間パターン化され、最上部の格子QWは実質的に基板組成を有する層132でおおわれる。特にこの構造により波形にエッチングされた表面上に欠陥のないエピタキシャル成長が容易に行われ、また結合係数κの成長も容易にされる。さらに本発明のレーザは部分的または純粋に利得結合とすることができ、そのために所望の波長区別が得られる。

請求項（抜粋）：

a)周期的に変化する第1の半導体領域(以下“格子”領域と呼ぶ)において、格子領域が周期Λを有する前記第1の半導体領域と、b)そこで電子-空孔の再結合により波長λの電磁放射を生成するために設けられた第2の半導体領域(以下“活性”領域と呼ぶ)において、活性領域が格子領域から距離をおいて設けられた前記第2の半導体領域とを有し、c)レーザは、さらに、前記半導体本体を通る電流を容易に流す接点手段を有し、ここでレーザは縦方向を含む前記レーザを有する、半導体基板上に多数のエピタキシャル半導体層を持つ半導体本体を有する分布帰還(以下DFBと略称する)レーザ含有製品において、さらに、d)格子領域は第1の組成の1つ以上の半導体層(例えば、121)を有し、ここである第1の組成層は第2の組成の半導体材料(例えば、11,131)の間に介在しかつ周期Λで縦方向において変化することを特徴とする前記DFBレーザ含有製品。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-065490
特開昭63-136587
特開昭60-102788

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