半導体電力変換装置における主回路素子寿命の改善方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-125362
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】制御性能を下げることなく主回路素子寿命を改善する。【解決手段】 PWM電力変換装置において、負荷状態を監視し、軽負荷時にはPWM用の搬送周波数を高くして主回路素子のスイッチング回数を増やしスイッチング損失を増加させて素子のジャンクション温度を高くし、重負荷時には搬送周波数を低くして主回路素子のスイッチング回数を減らしてスイッチング損失を減少させて素子のジャンクション温度を低くする。軽負荷時と重負荷時におけるジャンクション温度差が少なくなるので、素子のパワーサイクル及び熱疲労寿命が延びる。搬送周波数の変更は軽負荷じのみとしてもよい。

請求項（抜粋）：

主回路にIGBTなどのパワーサイクル寿命や熱疲労寿命を持つ半導体素子を用いた電力変換装置において、低負荷時にパルス幅変調用の搬送周波数を高くして前記半導体素子のスイッチング損失を増加させ、半導体素子のジャンクション温度を高くすることで高負荷時のジャンクション温度との差を小さくすることを特徴とする半導体電力変換装置における主回路素子寿命の改善方法。

IPC (3件)：

H02M 1/00 , H02M 3/00 , H02M 7/48

FI (4件)：

H02M 1/00 A , H02M 3/00 C , H02M 7/48 F , H02M 7/48 Z

Fターム (33件)：

5H007AA03 , 5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007DB01 , 5H007DC02 , 5H007DC03 , 5H007DC08 , 5H007EA14 , 5H730AA12 , 5H730AS13 , 5H730BB57 , 5H730CC01 , 5H730DD02 , 5H730FG06 , 5H730FG07 , 5H730FG22 , 5H730XX38 , 5H730ZZ13 , 5H740AA08 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BB10 , 5H740BC06 , 5H740KK01 , 5H740MM08 , 5H740NN17 , 5H740NN18 , 5H740PP01 , 5H740PP02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-194871
電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-122294 出願人：ダイキン工業株式会社
パワースイッチング素子の寿命監視装置及び同寿命監視装置を有するパワースイッチング素子を用いた装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-188101 出願人：株式会社明電舎

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