特許
J-GLOBAL ID：200903018258696656

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、導電酸化物膜を含む電極または配線の形成方法、電子装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子装置

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
若松 秀利

若松 秀利 について

, 
星 作太郎

星 作太郎 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-089729
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276689
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 有機物材料膜上に電極材料を反応性スパッタリング法で形成する際に、有機物材料膜に生じる欠陥準位形成ダメージが発生する。【解決手段】 有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。このように、有機物材料膜を導電性保護膜で覆った状態で酸化物膜へ変換することにより、有機物材料膜に生じる欠陥準位形成ダメージを抑制できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基材上に第1の電極層を設ける工程と、前記第1の電極層上に発光層を有する有機物材料膜を設ける工程と、前記有機材料膜の上に第2の電極層を設ける工程とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記第1の電極を設ける工程と前記第2の電極を設ける工程との少なくとも一方は、金属膜を少なくとも1層成膜し、該金属膜の表面から酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化し、該金属膜を全体的にあるいは部分的に金属酸化膜へ変換させて該金属酸化膜を前記電極の少なくとも一部とする工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (8件)：
H05B33/10 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26 ,  H05K3/02
FI (8件)：
H05B33/10 ,  C23C14/58 C ,  H01B13/00 503D ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05K3/02 Z ,  H01L31/04 M
Fターム (34件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA10 ,  4K029BA15 ,  4K029BA18 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029GA02 ,  5E339AA01 ,  5E339AD05 ,  5E339BB01 ,  5E339BC05 ,  5E339BD03 ,  5E339BD05 ,  5E339BD12 ,  5E339BD14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB30 ,  5F051FA01 ,  5F051FA04 ,  5G323CA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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