特許
J-GLOBAL ID：200903018259116823
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315819
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 p側パッド電極を形成する際にレジスト膜などにより透明電極が汚れないようにすると共に、パッド電極を簡単な方法で厚く形成し、ワイヤボンディングなどの信頼性を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 (a)ウェハ状の基板上にn形層3およびp形層5を含み発光層を形成する半導体層を積層し、(b)前記積層される半導体層の表面側のp形層5上に透明電極6を形成すると共に、積層される半導体層の一部を除去して露出するn形層3上にn側電極用金属膜9aを設け、(c)透明電極6およびn側電極用金属膜9aが設けられたウェハの表面にパシベーション膜7を設け、(d)パシベーション膜7の前記n側電極用金属膜の部分および透明電極6上のパッド電極の形成場所を開口し、(e)開口されて露出するn側電極用金属膜9aの部分および透明電極6上にそれぞれパッド電極8、9を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)ウェハ状の基板上に第1導電形半導体層および第2導電形半導体層を含み発光層を形成する半導体層を積層し、(b)前記積層される半導体層の表面側の第2導電形半導体層上に透明電極を形成すると共に、前記積層される半導体層の一部を除去して露出する第1導電形半導体層上に第1の電極用金属膜を設け、(c)前記透明電極および第1の電極用金属膜が設けられたウェハの表面にパシベーション膜を設け、(d)該パシベーション膜の前記第1の電極用金属膜の部分および前記透明電極上のパッド電極の形成場所を開口し、(e)前記開口されて露出する第1の電極用金属膜の部分および透明電極上にそれぞれパッド電極を形成することを特徴とする半導体発光素子の製法。
Fターム (14件)：
5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041DA07
