特許
J-GLOBAL ID：200903094539575139
p型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038699
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242517
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、600°C以上の熱処理を施して導電性が損なわれないp型窒化ガリウム系化合物半導体層用オーミック電極を提供すると共に、量産性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することをその目的とする。【解決手段】 この発明は、サファイア基板1上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層2と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層3とが積層され、発光観測面側となるp型窒化ガリウム化合物半導体層3表面のほぼ全面に透光性電極4が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、透光性電極4が、半導体層3上に被着されたオーミック層と、このオーミック層上の全面に連続的に設けられ、且つオーミック層よりも高い導電性を有する第1の導電層と、この第1の導電層との間でオーミック層との濡れ性の良い固有性金属を形成する第2の導電層と、で形成されている。
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に設けられるオーミック電極が、前記半導体層上に被着されたオーミック層と、このオーミック層上の全面に連続的に設けられ、且つこのオーミック層よりも高い導電性を有する導電層と、からなることを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
