特許
J-GLOBAL ID:200903018278784918

圧電デバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 英彦 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-155386
公開番号(公開出願番号):特開2000-349362
出願日: 1999年06月02日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】基板(基層)や中間層に由来する欠陥の無い圧電体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板2上に圧電体膜6を備える圧電デバイスにおいて、基板2と圧電体膜6との間に酸化アルミニウム層4を形成する。酸化アルミニウム層4により、基板2側からの圧電体膜6に対する影響が遮断される。
請求項(抜粋):
基板上に圧電体膜を備える圧電デバイスであって、基板と圧電体膜との間に酸化アルミニウム層を有する圧電デバイス。
IPC (3件):
H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H02N 2/00
FI (3件):
H01L 41/22 Z ,  H02N 2/00 B ,  H01L 41/08 C
引用特許:
審査官引用 (3件)

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