特許

J-GLOBAL ID：200903018289400216

導電性ペースト、ビアホール導体及び多層セラミック基板

発明者： 松尾 正弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349086
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116337
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】特許文献1の従来技術の場合には、セラミック基板の焼成時にポリスチレン等の空孔形成材を消失させる必要があり、しかも酸化性雰囲気下で焼成を行わなくてはならないため、導電材料であるCuの酸化を引き起こす。その結果、配線導体の電気抵抗値が大幅に増加し、Cuの酸化によってビアホール導体が膨張するため、ビアホール導体の周囲のセラミック層部分が隆起したり、セラミック層にクラックや割れが発生し、延いては多層セラミック基板が大きく変形する。【解決手段】本発明の導電性ペーストは、導電性材料粉末、BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末及び有機ビヒクルを含有する導電性ペーストであって、上記BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末の含有量は、上記導電性材料粉末と上記BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末の合計に対して0.5〜30体積%であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性材料粉末と、BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末と、有機ビヒクルとを含む導電性ペーストであって、上記BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末の含有量は、上記導電性材料粉末と上記BaO-Al2O3-SiO2系材料粉末の合計に対して0.5〜30体積%の範囲内にあることを特徴とする導電性ペースト。

IPC (5件)：

H01B1/22 ,  H01B1/20 ,  H01L23/15 ,  H05K3/12 ,  H05K3/46

FI (6件)：

H01B1/22 A ,  H01B1/20 A ,  H05K3/12 610G ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 S ,  H01L23/14 C

Fターム (18件)：

5E343AA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB72 ,  5E343DD02 ,  5E343GG13 ,  5E346AA15 ,  5E346CC16 ,  5E346CC32 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346GG06 ,  5E346HH07 ,  5G301DA06 ,  5G301DA23 ,  5G301DA33 ,  5G301DD01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミック配線基板用導体ペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-125632   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• バイアホール用導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152240   出願人：株式会社村田製作所