特許
J-GLOBAL ID：200903018332748728

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
上田 善寛

上田 善寛 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-161467
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004440
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】 磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリは、半導体からなる基板を含む。第1磁気抵抗素子MRaは、基板表面の上方に設けられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる2つの定常状態を取り、基板表面に投影された形状が第1方向に沿った第1長さと第2方向に沿った前記第1長さ以上の長さの第2長さとを有する。第2長さの第1長さに対する比は第1値である。第2磁気抵抗効果素子MRbは、基板表面の上方に設けられ、第1磁気抵抗効果素子の抵抗状態を判定するために用いられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる2つの定常状態を取り、基板表面に投影された形状が第3方向に沿った第3長さと第4方向に沿った第3長さ以上の長さの第4長さとを有する。第4長さの第3長さに対する比は第1値より大きい。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体からなる基板と、 前記基板の前記表面の上方に設けられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる2つの定常状態を取り、前記基板の前記表面に投影された形状が第1方向に沿った第1長さと第2方向に沿った前記第1長さ以上の長さの第2長さとを有し、前記第2長さの第1長さに対する比が第1値である、第1磁気抵抗効果素子と、 前記基板の前記表面の上方に設けられ、前記第1磁気抵抗効果素子の抵抗状態を判定するために用いられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる2つの定常状態を取り、前記基板の前記表面に投影された形状が第3方向に沿った第3長さと第4方向に沿った前記第3長さ以上の長さの第4長さとを有し、前記第4長さの第3長さに対する比が前記第1値より大きい、第2磁気抵抗効果素子と、 を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (6件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 150 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01L29/82 Z
Fターム (37件)：
4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF06 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119GG01 ,  4M119GG08 ,  4M119HH05 ,  4M119HH13 ,  4M119KK12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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