特許
J-GLOBAL ID：200903002140331030

磁気メモリ装置及びその読み出し方法

発明者：
佐藤 嘉洋

佐藤 嘉洋 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-016635
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210396
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】磁性層の磁化方向に基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置に関し、リファレンスセルの面積割合を小さくできる磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】第1及び第2の磁性層を有し、第1の磁性層の磁化方向に対する前記第2の磁性層の磁化方向に応じて高抵抗状態又は低抵抗状態となる第1の磁気抵抗効果素子62を有するメモリセルMCと、第1の磁気抵抗効果素子62と同じ積層構造からなり、第1の磁気抵抗効果素子62とは素子面積が異なり、第1の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態のときの抵抗値と低抵抗状態のときの抵抗値との間の抵抗値を有する第2の磁気抵抗効果素子62Rを有するリファレンスセルRCとを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の磁性層及び第2の磁性層を有し、前記第1の磁性層の磁化方向に対する前記第2の磁性層の磁化方向に応じて高抵抗状態又は低抵抗状態となる第1の磁気抵抗効果素子を有するメモリセルと、 前記第1の磁気抵抗効果素子と同じ積層構造からなり、前記第1の磁気抵抗効果素子とは素子面積が異なり、前記第1の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態のときの抵抗値と低抵抗状態のときの抵抗値との間の抵抗値を有する第2の磁気抵抗効果素子を有するリファレンスセルと を有することを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z
Fターム (13件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA16 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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