特許
J-GLOBAL ID:200903018361806869

積層セラミックコンデンサおよびその製法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-151139
公開番号(公開出願番号):特開2004-356305
出願日: 2003年05月28日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】本発明は、薄層、高積層化された積層セラミックコンデンサにおいて、用いる誘電体粉末の微粒化を行っても、焼成収縮差による外部カバー誘電体層と有効誘電体部間や有効誘電体部間のデラミネーションの無い積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する【解決手段】前記外部カバー誘電体層3中の前記主結晶相11の平均粒径D2が前記誘電体セラミック層7中の前記主結晶相11の平均粒径D1よりも大きく、かつ、前記外部カバー誘電体層3中の前記2次相量M2が前記誘電体セラミック層7中の前記2次相量M1よりも多い。【選択図】図2
請求項(抜粋):
少なくともBaTiO3を主成分とする主結晶相と、粒界及び3重点粒界を形成するSiO2を主成分とする2次相とを含む誘電体セラミック層と、内部電極層とが交互に積層され構成された有効誘電体部と、該有効誘電体部の積層方向の上下面に重畳され、前記誘電体セラミック層と少なくとも同成分の主結晶相および2次相とを含む外部カバー誘電体層と、該外部カバー誘電体層を含む前記有効誘電体部の両端面に導出した内部電極層と電気的に接続されてなる外部電極と、を具備してなる積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部カバー誘電体層中の前記主結晶相の平均粒径が前記誘電体セラミック層中の前記主結晶相の平均粒径よりも大きく、かつ、前記外部カバー誘電体層中の前記2次相量が前記誘電体セラミック層中の前記2次相量よりも多いことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (1件):
H01G4/12
FI (3件):
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 349 ,  H01G4/12 364
Fターム (9件):
5E001AD00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AG00 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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