絶縁膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038664
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること【解決手段】真空排気した真空室1内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板4と絶縁膜材料のターゲット5とに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む絶縁膜を形成する方法に於いて、該位相のずれをターゲットに対する基板の位相を遅れさせて生じさせた。その位相の遅れを120度以下もしくは240度以上とすることで該絶縁膜の絶縁耐圧が向上する。

請求項（抜粋）：

真空排気した真空室内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板と絶縁膜材料のターゲットとに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む絶縁膜を形成する方法に於いて、該位相のずれをターゲットに対する基板の位相を遅れさせて生じさせたことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 14/34 S , C23C 14/34 A , C23C 14/34 R , H01L 21/31 D

Fターム (31件)：

4K029AA06 , 4K029BA42 , 4K029BA43 , 4K029BA44 , 4K029BA46 , 4K029BA48 , 4K029BA55 , 4K029BA56 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029EA05 , 4K029EA09 , 5F045AA19 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC14 , 5F045AC16 , 5F045AE17 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045DC61 , 5F045DP02 , 5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (6件)

酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-282141 出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
特開昭59-205477
窒化シリコン膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-194428 出願人：日本電気株式会社

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