特許
J-GLOBAL ID：200903018435056557
微小ドットマークが刻印されてなる半導体ウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323081
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162800
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】微小なドットマークであるがゆえに従来ではマーキング領域としては予測し得ない部位に視認性の低下が少ない微小なドットマーキングがなされ、多様な表面処理を経ても十分に視認性が維持される半導体ウェハを提供する。【解決手段】ビームホモジナイザ(20)により前記レーザ発振器(10)から照射されるレーザビームのエネルギー分布を均整化し、これを所望のマークパターンを表示した1ドットの最大長さが50〜2000μmである前記液晶マスク(30)に照射する。一方、ビームプロファイル変換手段(40)を前記液晶マスク(30)のドットマトリックスに対応する同一サイズのドットマトリックスにて構成し、前記ビームプロファイル変換手段(40)を通過させて、レーザビームのエネルギー密度分布をドット単位で所望の形状に成形したレーザビームを、前記レンズユニットにより1ドットの最大長さが1〜15μmとなるように縮小し、前記半導体ウェハ表面のスクライブライン(SL)上に結像させる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ表面の所定領域に、1ドットの最大長さが1〜15μmの微小なドットマークが形成されてなることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, B23K 26/00
, H01L 21/68
H01L 21/02 A
, B23K 26/00 B
, H01L 21/68 A
