特許

J-GLOBAL ID：200903018462426633

イオンをドーピングする装置、イオンをドーピングする方法、半導体装置の製法及び薄膜トランジスタの製法

発明者： 古田 守 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 学校法人高知工科大学
代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112726
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287451
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 原料気体をプラズマ分解してイオン化し、そのプラズマ雰囲気に曝露することで試料にイオンをドーピングする際に、試料の温度の上昇を抑制する。 加えて、試料の帯電を防止し、イオンの加速エネルギーを制御する。【解決手段】 処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01J37/317 C ,  H01L29/78 616L ,  H01J37/317 B ,  H01J37/317 Z ,  H01L21/22 E ,  H01L21/265 F

Fターム (18件)：

5C034CC13 ,  5C034CD01 ,  5C034CD09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• イオン注入装置及びイオン注入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086713   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 薄膜トランジスタアレイの製造方法と液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231026   出願人：松下電器産業株式会社