特許
J-GLOBAL ID：200903018498742582
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178669
公開番号（公開出願番号）：特開平11-024287
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】パターンの疎密にかかわらず、均一な膜厚でシリル化が行える寸法制御生の高いパターンを得ることができるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】本発明は、被加工膜上にシリル化反応をする官能基を有する樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を加熱処理する工程と、前記加熱処理を行なった前記樹脂膜に対してパターン露光を行なう工程と、前記樹脂膜の露光部分、又は未露光部分を選択的にシリル化処理する工程と、酸素を含むプラズマで現像処理を行なう工程を具備するパターン形成方法である。特に、本発明は、前記加熱処理により前記樹脂膜の架橋反応を膜厚方向で制御すること、即ち、加熱処理を被加工膜の方向から行うことにより前記樹脂膜の膜厚方向でシリコンの密度を制御することを特徴とするパターン形成方法である。更に本発明は、加熱処理を150°C以上で行うことが好ましい。
請求項（抜粋）：
被加工膜上にシリル化反応をする官能基を有する樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を加熱処理する工程と、前記加熱処理を行なった前記樹脂膜に対してパターン露光を行なう工程と、前記樹脂膜の露光部分、又は未露光部分を選択的にシリル化処理する工程と、酸素を含むプラズマで現像処理を行なう工程、を具備し、前記加熱処理により前記樹脂膜の架橋反応を膜厚方向で制御することにより前記樹脂膜の膜厚方向でシリコンの密度を制御することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/38 501
, G03F 7/38 512
, G03F 7/26 501
, G03F 7/36
, H01L 21/027
G03F 7/38 501
, G03F 7/38 512
, G03F 7/26 501
, G03F 7/36
, H01L 21/30 566
, H01L 21/30 569 H
, H01L 21/30 579
