半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317019
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172102
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】安価な装置と短い工程で、精度良くマッシュルーム型ゲート電極を形成することにより、安価で、高歩留まりのGaAsMESFET及びそれを用いた集積回路を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板上に第1のマスク層16を積層する工程と、第1のマスク層16に開口部16aを形成する工程と、半導体基板を熱処理することにより、第1のマスク層16をフローする工程と、第1のマスク層16上に第2のマスク層17を積層する工程と、第2のマスク層17に第1のマスク層の開口部16aより大きく、かつ第1のマスク層の開口部16aを表出させている開口部17aを形成する工程と、第2のマスク層の開口部17aにゲート電極19を形成する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1のマスク層を堆積する工程と、前記第1のマスク層に開口部を形成する工程と、前記半導体基板を熱処理することにより、前記第1のマスク層をフローする工程と、前記第1のマスク層上に第2のマスク層を堆積する工程と、前記第2のマスク層に前記第1のマスク層の開口部より大きく、かつ該第1のマスク層の開口部を表出させている開口部を形成する工程と、前記第2のマスク層の開口部にゲート電極となる金属を蒸着する工程とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭64-042817
特開平4-155933
特開平2-028319

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