特許
J-GLOBAL ID：200903018548061468
半導体装置及びその製造方法、疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに半導体装置の実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273706
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033141
出願日： 2003年07月11日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 チップ部品の電極を裏面側へ簡単かつ確実に導通させ、表面側及び裏面側に外部端子を低コストにて形成できる半導体装置及びその製造方法、疑似ウェーハ及びその製造方法、並びに半導体装置の実装構造を提供すること。【解決手段】 チップ部品3の電極5に対応してその周辺に配されるように、チップ部品を配置するための欠除部を有し、プラグ19を予設したビア付き基板20をチップ部品3と共に支持基板21上に貼り付け、これらを樹脂4で覆って一体化した疑似ウェーハ29上で、電極5をプラグ19に配線24で接続し、配線24の一部を露出させて表面41の外部端子25を形成後に、チップ部品3の裏面42の樹脂4を研削してプラグ19を露出させ、この露出部によってこの面の外部端子26を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の面側に電極が設けられ、この電極面以外の少なくとも側面が保護物質層で覆われているチップ部品を有する半導体装置において、
前記チップ部品の少なくとも側方に絶縁物質層が被着され,
前記絶縁物質層をこの両面に貫通して形成された貫通孔に、第1の導電材が設けられ 、
前記電極と前記第1の導電材とが別の導電材を介して接続され、
前記電極が少なくとも、前記一方の面とは反対側の他方の面側に電気的に取り出され ている
ことを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501B
, H01L21/56 R
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA10
, 5F061CB13
