特許
J-GLOBAL ID：200903018554273850
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244500
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 島状半導体層の断面がシリコン基板に近い下端部でも広がらないような形状にして、島状半導体層と隣接する島状半導体との間を通る電極配線パターンの縁部の形状を良好にし、もってこの電極配線パターンで反射する光の光量がばらつかないようにした半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層をこの一導電型半導体層の一部が露出するように積層して設け、この一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設け、隣接する一導電型半導体層または逆導電型半導体層が同じ電極に接続されるように、この一導電型半導体層または逆導電型半導体層間に電極を接続する配線を設けた半導体発光装置であって、上記島状半導体層が並ぶ方向の断面における上記一導電型半導体層の下端部が逆導電型半導体層の上端部より幅狭であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層をこの一導電型半導体層の一部が露出するように積層して設け、この一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設け、隣接する一導電型半導体層または逆導電型半導体層が同じ電極に接続されるように、この島状の一導電型半導体層または逆導電型半導体層間に電極を接続する配線を設けた半導体発光装置において、前記島状半導体層が並ぶ方向の断面における前記一導電型半導体層の下端部が前記逆導電型半導体層の上端部より幅狭であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 27/15 A
5F041CA33
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CB22
, 5F041FF13
