発光ダイオードアレイおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233555
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190049
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】カソード電極を接続する層の膜厚のバラつきと発光バラつきが発生すると共に、カソード電極を接続する層を厚めに形成しなければならないという問題があった。【解決手段】基板1上に、一導電型半導体層3〜5を形成すると共に、この一導電型半導体層3〜5上に、この一導電型半導体層3〜5の一部が露出するように逆導電型半導体層6、7を形成し、この一導電型半導体層3〜5の露出部と前記逆導電型半導体層6、7上にそれぞれ電極9、10を接続して成る発光ダイオードアレイにおいて、前記一導電型半導体層3〜5の露出部をIn1-x GaxAs層3で形成すると共に、このIn1-x Gax As層3上にGaAs及び/又はAlGaAs層を形成して前記一導電型半導体層4、5と逆導電型半導体層6、7とした。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型半導体層を形成すると共に、この一導電型半導体層上に、この一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を形成し、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上にそれぞれ電極を接続して成る発光ダイオードアレイにおいて、前記一導電型半導体層の露出部をIn1-x Gax As層で形成すると共に、このIn1-x Gax As層上にGaAs及び/又はAlGaAs層を形成して前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層としたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-278285
レーザーアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312314 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開昭61-164290

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審査官引用 (5件)

特開昭63-278285
レーザーアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312314 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開昭61-164290

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