特許

J-GLOBAL ID：200903018591034318

配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 中村 順一 ,  小林 祐治
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014199
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013092
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】薄型化が可能であって、高密度配線に対応可能な配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板上に第1のソルダーレジスト層102を形成し、第1のソルダーレジスト層102に第1の開口部を形成し、第1の開口部に電極を103形成する。電極103上に絶縁層104を形成し、絶縁層104に電極103に接続される配線部106を形成する。配線部106上に第2のソルダーレジスト層107を形成し、第2のソルダーレジスト層107に第2の開口部107Aを形成する。支持基板を除去し、配線基板を得る。【選択図】図1E

請求項（抜粋）：

支持基板上に第1の開口部を有する第1のソルダーレジスト層を形成する第1の工程と、 前記第1の開口部に電極を形成する第2の工程と、 前記電極上に絶縁層を形成し、当該絶縁層に前記電極に接続される配線部を形成する第3の工程と、 当該配線部上に第2の開口部を有する第2のソルダーレジスト層を形成する第4の工程と、 前記支持基板を除去する第5の工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 3/40

FI (2件)：

H01L23/12 501Z ,  H05K3/40 E

Fターム (7件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317CC33 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317GG14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置搭載用配線基板およびその製造方法、並びに半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265802   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 多層配線板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-270577   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 特開平4-322252
  
• 半導体チップ搭載用基板およびその製造方法と半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-025528   出願人：株式会社トッパンエヌイーシー・サーキットソリューションズ富山