結晶粒の形成方法および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064525
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 10 〜 40 Åの極微小サイズの結晶粒を形成する技術を提供し、高信頼性の単一電子素子および短波長発光のSi発光素子の製造を可能ならしめることにある。【構成】基板温度を結晶相堆積の下限温度以下の低温化に保ちつつ材料元素を堆積することにより、極微小サイズの微小粒を堆積する。この非晶質微小粒を結晶化温度以上で熱処理することにより結晶微小粒と化する。本発明の半導体装置は、上記結晶微小粒を絶縁性の薄膜ではさみ、さらにそれを導電性の材料ではさんだ構造をなす。導電性材料間に電圧をかけることにより、トンネル電流で結晶微小粒に電流を注入し、発光動作を得る。【効果】単一電子素子を用いた大容量・高速・低消費電力のLSIと、青〜緑色光素子とを用いて、大量データ転送・処理の光/電気融合システムを実現することが可能になる。

請求項（抜粋）：

異種基板上に結晶粒を形成する方法において、結晶粒の構成元素を一旦非晶質微小粒として堆積し、これを熱処理することにより結晶化することを特徴とする結晶粒の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-032527
半導体発光/検出デバイスとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-039678 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-184162 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る