不揮発性半導体メモリの共通ソース線駆動回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255492
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】消去検証で消去メモリセルのしきい値電圧マージンを確保して検証を行い得る集積性に優れた共通ソースライン駆動回路を提供する。【解決手段】 NANDセルユニットへビット線から供給される検証電流は、ONしたセル選択トランジスタ、メモリセル、接地選択トランジスタ、そしてD形トランジスタ20及びNチャネルトランジスタ16を通じて流れる。トランジスタ16のON抵抗は消去メモリセルの所望のしきい値電圧マージンに従って定められる所定値としてあり、検証電流が流れるとそのON抵抗により共通ソース線CSLに正電圧が発生する。従って消去メモリセルのしきい値電圧マージンが確保されることになる。読出時にはトランジスタ16,18の両方がONしてこれらの合成抵抗となり電圧降下の作用が低下する。正電圧を発生する特別の電圧発生回路を備えずとも単純な抵抗手段にて正電圧を発生できるので、集積性がよい。

請求項（抜粋）：

消去可能な多数のフローティングゲート形メモリセルに接続される共通ソース線を駆動する不揮発性半導体メモリの共通ソース線駆動回路において、消去検証及び読出に際し定電流回路からビット線へ供給される電流に応じて消去検証と読出で相互に異なる電圧を共通ソース線に提供する抵抗手段を備えたことを特徴とする共通ソース線駆動回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

フラッシュメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-301393 出願人：シャープ株式会社
フラッシュ・メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-274355 出願人：富士通株式会社

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