特許
J-GLOBAL ID：200903018626781782
超電導磁場発生装置及びそれを用いたスパッタリング成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304668
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079158
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】超電導体を効果的に冷却でき、更に、着磁に必要な機器(超電導マグネット、着磁コイル、パルス電源等)が小型で済み、強力な磁場を発生できるコンパクトな磁極を持った高性能な超電導磁石装置とそれによるスパッタリング成膜装置を提供する。【解決手段】超電導磁場発生装置1は、超電導遷移温度以下に冷却され外部に磁場を発する超電導体2と、超電導体2を冷却する冷却部33を有する冷却装置3と、超電導体2を冷却部33に保持する冷却取付部材4と、超電導体2及び冷却取付部材4を収容する断熱容器5とを有する。冷却取付部材4は、超電導体2を側面25から固定する側面固定部40を有する。超電導磁場発生装置1はスパッタリング成膜装置等に適用できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超電導遷移温度以下に冷却され外部に磁場を発する超電導体と、
前記超電導体を冷却する冷却部を有する冷却装置と、
前記超電導体を前記冷却装置の前記冷却部に保持する冷却取付部材と、
前記超電導体及び前記冷却取付部材を収容する断熱容器とを具備する超電導磁場発生装置において、
前記冷却取付部材は、
前記超電導体を側面から固定する側面固定部を具備していることを特徴とする超電導磁場発生装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
4K029DC39
, 4K029DC42
, 4K029DC43
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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