特許
J-GLOBAL ID：200903018646968900

半導体受光素子

発明者：
船場 真司

船場 真司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101481
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289333
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオードの受光部の外側に入射した背景光の影響を除去し、応答特性に優れたフォトダイオードを得る。【解決手段】 p型の背景光捕獲領域9を、p型の受光領域4の周囲に少なくとも寸法Lを隔てて形成することにより、背景光によるホールHは、背景光捕獲領域9の形成する空乏層Db に捕獲され光電流に寄与しない。このため、応答特性の劣化が生じず、高速化が図られる。また、本構造において、VBmin以上の耐圧を実現するためには、最短距離Lとn- -InP窓層3あるいはn- -InGaAs光吸収層2のキャリア濃度の最小値Nmin との間に次式(1)の関係を要する。Nmin =2e/qL2 ・VBmin (1)なお、eはInPあるいはInGaAsの誘電率、qは電荷素量である。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型の半導体層、この半導体層の一部に選択的に設けられた第2導電型の受光領域、この受光領域の周囲に少なくとも寸法Lを隔てて形成された第2導電型の背景光捕獲領域、上記背景光捕獲領域と上記第1導電型の領域とを短絡させる短絡電極、上記第1導電型の領域および上記受光領域にそれぞれ接続された電極を備え、上記受光領域と上記背景光捕獲領域の最短距離Lを、以下に示す式(1)により決定したことを特徴とする半導体受光素子。Nmin =2e/qL2 ・VBmin (1)ただし、式(1)において、Nmin は上記半導体層を構成する結晶のキャリア濃度の規格下限、VBminは素子の耐圧の規格下限、eは上記半導体層を構成する結晶の誘電率、qは電荷素量を示す。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 J
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279904   出願人：住友電気工業株式会社
  • 特開平4-111479
  • 特開昭64-024472
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 光通信素子工学, 199505, 第5版, 330

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